上海規(guī)模最大的半導體行業(yè)展會——SEMICON China 2026正在進行中。

3月26日，展會進入第二天，場內的觀眾依然眾多，除了中國人外，會場內不時聽到日韓等外國人在交流。

今年最有人氣當屬N3的半導體設備展區(qū)，集齊了北方華創(chuàng)、中微公司、上海微電子等眾多大廠，整個展區(qū)以及每家的展臺都吸引了大量的參觀人群。

去年在展會上驚艷亮相的新凱來今年意外缺席，但旗下的萬里眼、啟云方兩家子公司參展。

SEMICON2026

設備廠發(fā)新品瞄準先進工藝

兩大半導體設備頭部廠商北方華創(chuàng)和中微公司的展區(qū)都擠滿了觀眾和客戶。

北方華創(chuàng)現場大屏幕播放的視頻吸引了不少參展人士圍觀，展區(qū)中央坐滿了人。公司主要產品都通過視頻圖片展示和介紹。

北方華創(chuàng)在展會上發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體（ICP）刻蝕設備——NMC612H。該設備搭配全國產超百區(qū)獨立控溫靜電卡盤及具備完全自主知識產權的溫控算法，將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數百比一，均勻性帶入埃米級時代，標志著北方華創(chuàng)的技術優(yōu)勢可滿足更先進節(jié)點的芯片制造要求，滿足芯片制造商在AI時代的需求和挑戰(zhàn)。

北方華創(chuàng)展區(qū)對面是芯源微的展區(qū)。去年，北方華創(chuàng)通過受讓股權成為芯源微的控股股東，進一步豐富了產品線。

另一家設備大廠中微公司的展區(qū)也異常熱鬧，展臺上有十多款產品模型吸引大家關注。

中微公司也在本次展會上推出四款覆蓋硅基及化合物半導體關鍵工藝的新產品，包括新一代電感耦合ICP等離子體刻蝕設備Primo Angnova、高選擇性刻蝕機Primo Domingo、Smart RF Match智能射頻匹配器以及藍綠光Micro LED量產MOCVD設備Preciomo Udx，進一步豐富了公司在刻蝕設備、薄膜沉積設備及核心智能零部件領域的產品組合及系統化解決方案能力。

現場工作人員介紹，隨著邏輯芯片向5納米及以下節(jié)點邁進和先進存儲芯片對高深寬比刻蝕的要求日益嚴苛，刻蝕設備面臨著對刻蝕精度、均勻性、深寬比等多重挑戰(zhàn)。Primo Angnova ICP單腔刻蝕系統能滿足這些需求。

而Primo Domingo的推出，標志著中微公司在高選擇性刻蝕設備領域實現了重要突破，填補了國內在下一代3D半導體器件制造中關鍵刻蝕工藝的自主化空白。

上海微電子展區(qū)展出了一臺光刻機。相關人士介紹稱，這款光刻機工藝為110納米，用于成熟晶圓產線，也可以用在封裝和部分的存儲芯片產線上。

上海微電子展臺上的光刻機模型

新凱來缺席，萬里眼發(fā)布新品

去年在SEMICON China上，新凱來發(fā)布了“名山系列”31款設備，分別以武夷山、峨眉山、普陀山等中國名山命名，涵蓋刻蝕機、薄膜沉積設備、量檢測設備等半導體制造關鍵環(huán)節(jié)，引發(fā)行業(yè)廣泛關注。

今年新凱來缺席少了一個看點。不過，新凱來旗下的深圳市萬里眼技術有限公司攜信號源與頻譜分析儀、超高速實時示波器、高速數字網絡測試平臺等系列創(chuàng)新測試解決方案亮相展會。其中，110GHz頻譜分析儀的正式亮相，標志著國產高端測試儀器在關鍵性能指標上取得重要突破，邁入業(yè)界第一梯隊。

萬里眼介紹，這次110GHz頻譜分析儀，核心突破集中在兩個關鍵指標——更高的頻率能力與更寬的分析帶寬。上述指標長期以來受到瓦森納協議重點管控，構成了高端頻譜分析儀的技術壁壘。萬里眼的此次突破，正是對這一“卡脖子”難題的有力回應。

啟云方則圍繞半導體產業(yè)鏈上下游多個關鍵環(huán)節(jié)，展示了啟云方CIM、電子工程EDA、啟云方舟、EasyERP、半導體安全解決方案，為產業(yè)發(fā)展提供多種高端國產化選擇。

AI推動下，萬億美元芯時代有望于2026年底提前到來

當下人工智能對算力的需求推動半導體基礎設施的新一輪投資。

本次展會的主辦方SEMI中國總裁馮莉在開幕致辭時表示，在AI算力以及全球數字化經濟驅動下，全球半導體產業(yè)迎來了歷史性時刻，原定于2030年才會達到的萬億美元芯時代有望于2026年底提前到來。

她指出，2026年全球AI基礎設施支出將達到4500億美元，其中推理算力占比首次超過70%，由此拉動GPU、HBM及高速網絡芯片的強勁需求，而這最終都轉化為對晶圓廠和先進封裝以及設備和材料的強勁需求。

每年SEMICON China的火爆也反映了中國半導體產業(yè)近年的蓬勃發(fā)展。

SEMI的數據顯示，2020年至2030年間，中國晶圓產能將從490萬片增至1410萬片，翻近三倍，全球市場份額從20%升至32%。其中，2028年全球將新建108座晶圓廠，其中亞洲占84座，中國獨占47座，超過亞洲新增產能的一半。在22nm至40nm主流制程節(jié)點，中國產能占比將從2024年的25%提升至2028年的42%。