3月30日晚間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（688012，以下簡(jiǎn)稱“中微公司”）披露2025年年度報(bào)告。報(bào)告顯示，2025年公司全年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入123.85億元，同比增長(zhǎng)36.62%。歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)達(dá)21.11億元，同比增長(zhǎng)30.69%，扣非凈利潤(rùn)為15.50億元，增長(zhǎng)11.64%。公司擬向全體股東每10股派發(fā)現(xiàn)金紅利3.50元（含稅）。擬以資本公積金向全體股東每10股轉(zhuǎn)增4.9股。

中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過向下游集成電路、LED 外延片、先進(jìn)封裝、 MEMS 等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備和MOCVD設(shè)備、 提供配件及服務(wù)。

中微公司指出，2025年刻蝕設(shè)備銷售約98.32億元，同比增長(zhǎng)約35.12%；LPCVD設(shè)備銷售約5.06億元，同比增長(zhǎng)約224.23%；公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，在先進(jìn)邏輯器件和先進(jìn)存儲(chǔ)器件中多種關(guān)鍵刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

公告顯示，中微公司的刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)繼續(xù)發(fā)揮壓艙石作用，截至2025年底，公司刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺(tái)全球出貨量超過6800臺(tái)，應(yīng)用范圍覆蓋65納米至3納米及更先進(jìn)制程的各類刻蝕場(chǎng)景，在國(guó)內(nèi)主要客戶芯片生產(chǎn)線的市占率持續(xù)穩(wěn)步提升。

值得注意的是，中微公司自主研發(fā)的CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備和ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備已實(shí)現(xiàn)對(duì)95%以上的三百多種刻蝕應(yīng)用需求的覆蓋。其中，60比1超高深寬比刻蝕設(shè)備在存儲(chǔ)器生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的大批量生產(chǎn)，使中微公司成為國(guó)內(nèi)極少數(shù)能夠全面覆蓋存儲(chǔ)器刻蝕應(yīng)用中各類超高深寬比需求的供應(yīng)商。此外，ICP雙臺(tái)機(jī)的重復(fù)性和匹配精度達(dá)到皮米級(jí)控制水平，核心工藝指標(biāo)再攀新高；新開發(fā)的晶圓邊緣刻蝕設(shè)備和金屬刻蝕機(jī)也順利進(jìn)入客戶端生產(chǎn)線驗(yàn)證。

晶圓制造設(shè)備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、量檢測(cè)、離子摻雜等品類，其中刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中制程步驟數(shù)量龐大，工藝開發(fā)頗具挑戰(zhàn)性的三類核心設(shè)備。 根據(jù)Gartner歷年統(tǒng)計(jì)， 全球刻蝕設(shè)備、 薄膜沉積設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價(jià)值量約 22%和 23%。

公告顯示，中微公司薄膜沉積設(shè)備業(yè)務(wù)在2025年迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)，全年?duì)I收同比增長(zhǎng)約224.23%，成為驅(qū)動(dòng)中微公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的重要新引擎。

中微公司董事長(zhǎng)尹志堯曾說：“一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備公司如果只開發(fā)刻蝕設(shè)備，而沒有薄膜設(shè)備，其發(fā)展空間就會(huì)受到限制?！?/p>

近年來中微公司將各類薄膜沉積設(shè)備的開發(fā)和導(dǎo)入市場(chǎng)作為聚焦重點(diǎn)，以行業(yè)領(lǐng)先的研發(fā)速度，在短時(shí)間內(nèi)成功開發(fā)出十幾種導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜核心設(shè)備，多款產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)技術(shù)與市場(chǎng)的雙重突破。

中微公司繼續(xù)大力度加碼研發(fā)。報(bào)告顯示，2025年中微公司研發(fā)投入達(dá)37.44億元，同比增長(zhǎng)52.8%，占營(yíng)業(yè)收入比重超過30%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司10%到15%的平均水平。高強(qiáng)度的研發(fā)投入推動(dòng)產(chǎn)品迭代速度顯著提升，新設(shè)備開發(fā)周期從傳統(tǒng)的3至5年縮短至2年以內(nèi)。

據(jù)披露，目前中微公司正在推進(jìn)六大類、超20款新設(shè)備的研發(fā)工作，涵蓋新一代CCP高能等離子體刻蝕設(shè)備、ICP低能等離子體刻蝕設(shè)備、晶圓邊緣刻蝕設(shè)備、LPCVD及ALD薄膜設(shè)備、硅和鍺硅外延EPI設(shè)備、新一代等離子體源的PECVD設(shè)備、CuBS PVD超多反應(yīng)腔集成設(shè)備、電子束量檢測(cè)設(shè)備、大平板設(shè)備以及多款新型MOCVD設(shè)備等。

3月30日當(dāng)天，中微公司正式披露《發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購(gòu)買資產(chǎn)并募集配套資金報(bào)告書（草案）》，中微公司擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買杭州眾芯硅、寧容海川、臨安眾芯硅、臨安眾硅、杭州芯匠、杭州眾誠(chéng)芯等41名交易對(duì)方合計(jì)持有的杭州眾硅64.69%股權(quán)，并募集配套資金。整個(gè)股權(quán)交易金額為15.7億元，募資金額為15億元。

這是中微公司成立二十余載來的首次以發(fā)股方式實(shí)施控股權(quán)并購(gòu)，也是自“科創(chuàng)板八條”“并購(gòu)六條”等政策發(fā)布以來，半導(dǎo)體設(shè)備類上市公司中首個(gè)以發(fā)股方式收購(gòu)資產(chǎn)的案例。

中微公司作為國(guó)內(nèi)等離子體刻蝕和薄膜沉積等干法設(shè)備的領(lǐng)軍者，已在65納米至3納米及更先進(jìn)制程領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，但在濕法工藝領(lǐng)域，特別是與刻蝕、薄膜并稱為前道核心工藝的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備，中微公司此前尚存空白。

杭州眾硅正是填補(bǔ)這一空白的關(guān)鍵拼圖。作為國(guó)內(nèi)少數(shù)掌握12英寸高端CMP設(shè)備核心技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的企業(yè)，杭州眾硅由CMP設(shè)備領(lǐng)域資深專家顧海洋博士于2018年創(chuàng)立，其首創(chuàng)的6盤設(shè)計(jì)，顯著提升了設(shè)備的輸出效率，產(chǎn)能（WPH）水平可以更好滿足下游客戶的需求。

通過本次交易，中微公司將成為具備“刻蝕+薄膜沉積+量檢測(cè)+濕法”四大前道核心工藝能力的廠商，實(shí)現(xiàn)從“干法”向“干法+濕法”整體解決方案的關(guān)鍵跨越。這意味著中微公司能夠?yàn)榭蛻籼峁└叨葏f(xié)同、更系統(tǒng)化的成套設(shè)備方案，有望縮短客戶工藝調(diào)試與驗(yàn)證周期，增強(qiáng)客戶黏性，加速國(guó)產(chǎn)設(shè)備在主流產(chǎn)線的規(guī)?；瘽B透。

此外，公告中提及，中微公司還將通過整合采購(gòu)需求、共享供應(yīng)商資源及部署自主研發(fā)的管理軟件平臺(tái)，幫助杭州眾硅降低關(guān)鍵零部件采購(gòu)成本與整體運(yùn)營(yíng)成本，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到交付全鏈條的效率提升。

3月30日收盤，中微公司報(bào)收316.74元，增長(zhǎng)3.64%。