- +1
HBM之父:看好高帶寬閃存技術(shù),未來AI產(chǎn)業(yè)或從GPU轉(zhuǎn)向內(nèi)存主導
有著“HBM(高帶寬內(nèi)存)之父”之稱的韓國教授認為,AI(人工智能)計算主導權(quán)正在從GPU轉(zhuǎn)向內(nèi)存。
近日,據(jù)韓媒報道,被稱為“HBM之父”的韓國科學技術(shù)院電氣與電子工程學院教授金正浩表示,AI芯片格局即將發(fā)生根本性變化,當前由英偉達主導、以GPU為核心的體系,最終轉(zhuǎn)變?yōu)槭軆?nèi)存主導的架構(gòu)。
隨著AI從生成式模型邁向Agentic AI(智能體)時代,內(nèi)存正成為關鍵的發(fā)展制約因素。金正浩指出,這一轉(zhuǎn)變可被概括為“上下文工程(context engineering)”的興起,AI需要同時處理海量文檔、視頻及多模態(tài)數(shù)據(jù)。
金正浩表示,為支撐這一趨勢,內(nèi)存帶寬與容量需實現(xiàn)最高達1000倍的提升,方能保障系統(tǒng)的速度與準確性。當輸入規(guī)模擴大100至1000倍時,內(nèi)存需求可能呈指數(shù)級增長,最高甚至達到百萬倍。
在此背景下,金正浩指出,當前通過堆疊DRAM(動態(tài)隨機存儲器)以實現(xiàn)超高帶寬的HBM產(chǎn)品,或難以滿足智能體時代的需求。作為下一代路徑,他重點看好HBF(High Bandwidth Flash,高帶寬閃存)技術(shù)。作為一種新型存儲技術(shù),HBF方案通過堆疊NAND閃存來替代DRAM,構(gòu)建類似“巨型書架”的長期存儲體系,從而在容量上實現(xiàn)數(shù)量級躍升。
金正浩進一步表示,AI產(chǎn)業(yè)的權(quán)力格局或?qū)⒁虼税l(fā)生轉(zhuǎn)移,由GPU向內(nèi)存傾斜。盡管現(xiàn)階段計算架構(gòu)仍以GPU和CPU為核心,但未來的系統(tǒng)將圍繞超大容量內(nèi)存(如HBM與HBF)構(gòu)建,處理器則更像是嵌入其中的組件。
這一構(gòu)想在產(chǎn)業(yè)界已有初步體現(xiàn)。今年2月,SK海力士在提交至電氣與電子工程師學會(IEEE)的論文中提出了“H3架構(gòu)”,混合配置HBM高帶寬內(nèi)存與HBF高帶寬閃存,論文表示,HBF與HBM 相比,帶寬相當、容量更大、訪問延遲更長、寫入耐久更差、功耗更高,因此H3將HBF作為HBM的“二級擴展”,HBF存儲只讀數(shù)據(jù)、HBM則負責其余數(shù)據(jù)。
金正浩認為,HBF工程樣品預計將在2027年前后問世,谷歌、英偉達或AMD等廠商最快可能于2028年開始采用該技術(shù)。此外,圍繞HBF的競賽或?qū)⒅匮軭BM時代的格局,三星電子與SK海力士有望再度正面交鋒。





- 報料熱線: 021-962866
- 報料郵箱: news@thepaper.cn
互聯(lián)網(wǎng)新聞信息服務許可證:31120170006
增值電信業(yè)務經(jīng)營許可證:滬B2-2017116
? 2014-2026 上海東方報業(yè)有限公司




