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長江存儲首推128層QLC閃存,單顆容量1.33Tb

4月13日,紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司(長江存儲)宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗證。
長江存儲稱,作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量(單顆容量1.33Tb,約合170Gb)。此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
長江存儲基于Xtacking架構(gòu)進行3D NAND研發(fā)。去年9月2日,長江存儲宣布,已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
據(jù)介紹,在長江存儲128層系列產(chǎn)品中,Xtacking 已全面升級至2.0,進一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫性能方面,X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現(xiàn)1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的數(shù)據(jù)傳輸速率,為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝,CMOS電路可選用更先進的制程,同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。
據(jù)了解,Xtacking是長江存儲自主知識產(chǎn)權(quán)的架構(gòu)。業(yè)界還有其他兩種架構(gòu),三星、鎧俠(東芝)和西部數(shù)據(jù)是傳統(tǒng)架構(gòu),美光,海力士和英特爾的CuA架構(gòu)。Xtacking架構(gòu)和CuA架構(gòu)都是上下兩層架構(gòu),區(qū)別在于CuA架構(gòu)是在同一塊晶圓上設(shè)計和制造,而Xtacking架構(gòu)是完全獨立的工藝。
長江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示:“作為閃存行業(yè)的新人,長江存儲用短短3年時間實現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長存人汗水的凝聚,也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking 2.0時代的到來,長江存儲有決心,有實力,有能力開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài),讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢,達到互利共贏。”
長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總部位于武漢光谷,是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時也提供完整的存儲器解決方案。
紫光集團是一家大型綜合性集成電路企業(yè),業(yè)務(wù)涵蓋芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試、閃存方案、IT基礎(chǔ)設(shè)施、云服務(wù)等多個領(lǐng)域。





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